Abstract
The technique of synthesis and purification of trimethyl(phenyl)silane PhSiMe 3 , allowing to obtain the product with high yield. Individuality of the product was confirmed by elemental analysis for C, H, Si. IR, UV and 1H NMR–spectroscopic studies, defined its spectral characteristics. Complex thermal analysis and thermogravimetric defined thermoanalytical behavior effects of PhSiMe 3 in an inert atmosphere. Tensimetric studies have shown that the compound has sufficient volatility and thermal stability for use as a precursor in the process of chemical vapor deposition (CVD). The composition and temperature limits of the possible crystalline phase complexes in equilibrium with the gas phase of different composition has been determed by method of thermodynamic modeling. Calculated CVD diagrams allow us to select the optimum conditions of film deposition. The possibility of using trimethyl(phenyl)silane in CVD processes for producing dielectric films of hydrogenated silicon carbide has been demonstrated.
Highlights
Показана возможность использования PhSiMe3 в процессах chemical vapor deposition (CVD) для получения диэлектрических пленок гидрогенизированного карбида кремния
Синтезированный PhSiMe3 был охарактеризован с использованием набора методов, позволяющих наиболее полно описать свойства полученного соединения
Thin a−SiC : H films formed by remote hydrogen microwave plasma CVD using dimethylsilane and trimethylsilane precursors / A
Summary
Разработана методика синтеза и очистки триметил(фенил)силана PhSiMe3, позволяющая получать целевой продукт с высоким выходом. На основе данных тензометрических исследований показано, что это соединение обладает достаточной летучестью и термической устойчивостью для использования в качестве прекурсора в процессах химического осаждения из газовой фазы (CVD). Показана возможность использования PhSiMe3 в процессах CVD для получения диэлектрических пленок гидрогенизированного карбида кремния. Задача создания новых материалов требует расширения круга исходных соединений, используемых в процессах химического осаждения из газовой фазы (CVD), природа которых играет ключевую роль при формировании пленок с заданными свойствами. Поиск новых исходных соединений для процессов CVD продолжается. Для расширения функциональных возможностей пленок SiCx : H важной задачей остается поиск новых исходных пленкообразующих веществ, а также разработка на их основе низкотемпературных процессов синтеза пленок. Цель работы — синтез и характеризация триметил(фенил)силана (PhSiMe3), а также определение возможности его использования в качестве реагента в процессах получения пленок SiCx : H методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD)
Sign-in/Register to view highlights & summary Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
