Abstract
En este artículo, se reporta la fabricación de transistores de película delgada con óxido de zinc (ZnO TFTs) sobre sustratos de plástico por spray pyrolysis ultrasónico de alta frecuencia a baja temperatura. La máxima temperatura de fabricación fue de 200°C. Spin-on glass fue usado como dieléctrico de compuerta. El tereftalato de polietileno (PET) es usado como sustrato de plástico. Los ZnO TFTs exhiben una movilidad de electrones de 1.25 cm2/Vs y voltaje de umbral de 10.5V, mientras la relación de corriente on/off fue de 104. Adicionalmente, la densidad de trampas en la capa activa y en la interfaz dieléctrico/semiconductor son calculados. Además, capacitores metal-dieléctrico-metal fueron fabricados sobre plástico y caracterizados para evaluar el dieléctrico de compuerta.
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