TiO2Interlayer의 상변화에 따른 PLZT 박막의 구조 및 전기적 특성

Abstract

R.F. magnetron-sputtering 방법에 의해 <TEX>$(Pb_{1.1},La_{0.08})(Zr_{0.65}.Ti_{0.35})O_3$</TEX> 박막을 <TEX>$Pt/Ti/SiO_2/Si$</TEX>, <TEX>$TiO_2(interlayer)/Pt/Ti/SiO_2/Si$</TEX> 기판에 증착하고, <TEX>$TiO_2$</TEX> interlayer에 의한 PLZT 박막의 특성을 고찰 하였다. <TEX>$TiO_2$</TEX> interlayer의 증착조건을 변화시켜가며 단일상의 anatase 상과 rutile 상을 증착하였고, 그 위에 증착시킨 PLZT 박막의결정성을 x-ray diffraction(XRD)을 통해 분석하였다. 또한 <TEX>$TiO_2$</TEX> interlayer에 의한 <TEX>$PLZT-TiO_2$</TEX>, <TEX>$TiO_2-Pt$</TEX> 박막의 계면상태를 고찰하기 위해 glow discharge spectrometer(GDS) 분석을 행하였고, PLZT의 강유전 특성을 고찰하기 위해 전기적 측정을 행하였다. <TEX>$TiO_2$</TEX> anatase 단일 상에 증착한 PLZT의 경우 (110) 방향으로 우선 배향됨을 알 수 있었고, 12.6 <TEX>${\mu}C/cm^2$</TEX>의 잔류분극 값을 나타내었다. [ <TEX>$(Pb_{1.1},La_{0.08})(Zr_{0.65}.Ti_{0.35})O_3$</TEX> ] thin films on the <TEX>$Pt/Ti/SiO_2/Si$</TEX>, <TEX>$TiO_2(interlayer)/Pt/Ti/SiO_2/Si$</TEX> substrate were fabricated by the R.F. magnetron-sputtering method and considered their characteristics depending on <TEX>$TiO_2$</TEX> interlayer. Changing the deposition conditions of <TEX>$TiO_2$</TEX> interlayer, we obtained <TEX>$TiO_2$</TEX> anatase single phase and rutile single phase. PLZT was deposited on these substrates and analyzed by x-ray diffraction(XRD) for there crystallinity and orientation. To investigate <TEX>$PLZT-TiO_2$</TEX>, <TEX>$TiO_2-Pt$</TEX> interface, glow discharge spectrometer(GDS) analysis was carried out and we performed electrical measurements for dielectric properties of PLZT thin films. The PLZT thin film on <TEX>$TiO_2$</TEX> anatase interlayer was found to have (110)-preferred orientation and 12.6 <TEX>${\mu}C/cm^2$</TEX> remaining polarization value.