Thickness dependence of DC conductivity of amorphous Se and binary amorphous SeTe, SeGe, and SeSb films

Abstract

The dc conductivity of a-Se and binary amorphous SeTe, SeGe, and SeSb films is measured as a function of temperature (80 to 300 K) and film thickness (500 to 2000 A). It is found that except for SeSb films, the conduction in all the samples takes place in the tails of localized states via thermally activated tunneling in the entire range of temperature (80 to 300 K). For SeSb films, in the high temperature region (200 to 300 K) the conduction mechanism remains the same while at lower temperatures (80 to 200 K), the conduction is due to variable range hopping in the localized states near the Fermi level. An increase in the film thickness for the SeSb system is found to result in the decrease of the activation energy while a reverse effect is observed for the conductivity. Es wird die Gleichstromleitfahigkeit von a-Se und binaren amorphen SeTe-, SeGe- und SeSb-Schichten als Funktion der Temperatur (80 bis 300 K) und Schichtdicke (500 bis 2000 A) gemessen. Es wird gefunden, das auser fur SeSb-Schichten, die Leitfahigkeit in allen Proben im gesamten Temperaturbereich (80 bis 300 K) in den Auslaufern der lokalisierten Zustande uber einen ther-misch aktivierten Tunnelmechanismus stattfindet. Fur SeSb-Schichten bleibt im Hochtempera-turbereich (200 bis 300 K) der Leitfahigkeitsmechanismus derselbe, wahrend bei tieferen Tem-peraturen (80 bis 200 K) die Leitfahigkeit durch Hopping mit veranderlicher Reichweite in den lokalisierten Zustilnden in der Nahe des Ferminiveaus erfolgt. Es wird gefunden, das das Anwach-sen der Schichtdicke fur das SeSb-System zu einer Verringerung der Aktivierungsenergie fuhrt, wiihrend ein umgekehrter Effekt fur die Leitfiihigkeit beobachtet wird.