The weak-beam method in electron microscopy

Abstract

Weak-beam profiles of dislocations calculated at 1 MV are presented. These profiles are used to study the properties of weak-beam images in high voltage electron microscopy and compared with calculations at 100 kV. Qualitative predictions in a preceding paper are investigated in detail by comparing them with the results of the calculations. It is shown that the weak-beam images have similar properties at 1 MV and 100 kV and that the weak-beam method should be quite useful for obtaining high resolution images also in high voltage electron microscopy. Es werden die Schwachstrahlprofile von Versetzungen mitgeteilt, die fur 1 MV berechnet wurden. Diese Profile werden benutzt, um die Eigneschaften von Schwachstrahldiagrammen im Hochspannungselektronenmikroskop zu untersuchen und sie mit Berechnungen fur 100 kV zu vergleichen. Qualitative Vorhersagen einer fruheren Arbeit werden ausfuhrlich durch Vergleich mit den Ergebnissen der Berechnungen untersucht. Es wird gezeigt, das die Schwachstrahldiagramme fur 1 MV und 100 kV ahnliche Eigenschaften besitzen, und das die Schwachstrahlmethode nutzlich sein konnte zu Erreichung hochaufgeloster Diagramme auch bei Hochspannungselektronenmikroskopie.