Abstract
AlGaN/GaN heterostructures and AlGaN/GaN/SiC HEMT-transistors’ Schottky barriers (SBs) are studied by the capacitance–voltage (CV) method and the SIMS method in order to determine the causes of the capacitance instability in some cases. It is shown that in most cases, the appearance of a capacitance peak on the CV curves at frequencies of 20 to 500 kHz is associated with the presence of leakage currents in the barrier layer and at low frequencies of 1 to 20 kHz with the generation–recombination centers.
Highlights
A complex of studies of the AlGaN/Gallium Nitride (GaN) heterostructures and the AlGaN/GaN/SiC HEMT−transistors Schottky barriers has been carried out by the C−V method and the SIMS method in order to determine the causes of the capacitance instability in some cases was made
It is shown that in most cases, the appearance of a capacitance peak on the C−V curves at frequencies 20−500 kHz was associated with the presence of leakage currents in the barrier layer and at low frequencies 1−20 kHz with generation−recombination centers
Y. Deep traps responsible for hysteresis in capacitance−voltage characteristics of AlGaN/Gallium Nitride (GaN) heterostructure transistors / A
Summary
Проведен комплекс исследований частотных зависимостей вольт− фарадных характеристик гетероструктур AlGaN/GaN, а также барьеров Шотки областей затвор—исток и затвор—сток кристаллов AlGaN/GaN/ SiC НЕМТ−транзисторов с целью выяснения причин появления в ряде случаев нестабильности емкости. Появление пика возрастания емкости на С—V−характеристиках гетероструктур AlGaN/GaN при низкочастотных измерениях зафиксировано на структурах с частично легированным кремнием барьерным слоем AlGaN и на гетероструктурах с «толстым» верхним слоем i−GaN. Появление аналогичного характерного пика на низких частотах наблюдалось и на С—V−кривых барьеров Шотки систем затвор—сток и затвор— исток ряда НЕМТ−транзисторов. Анализ годографов для ряда исследованных транзисторов показал, что в большинстве случаев появление пика нестабильности на частотах 20—500 кГц связано в большей степени со сквозными токами утечки в барьерном слое, а на частотах 1—20 кГц с генерационно−рекомбинационными центрами в барьерном слое или на границе AlGaN—GaN. Ключевые слова: гетероструктуры AlGaN/GaN, барьеры Шотки, НЕМТ− транзисторы, вольт−фарадные характеристики, последовательная и параллельная схемы замещения, годограф импеданса цепи, генерационно− рекомбинационный вклад
Sign-in/Register to view highlights & summary Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callDisclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
