Abstract
Узагальнено результати дослідження електропровідності, холлівської рухливості та ефективних мас електронів і дірок у шаруватих кристалах SnS2, вирощених методами хімічних транспортних реакцій, статичної сублімації й Бріджмена. Показано, що високе значення анізотропії електропровідності (с / ||с = 103-104) не зв’язане з анізотропією ефективних мас електронів, а зумовлене наявністю плоских протяжних дефектів упаковки шарів в реальних кристалах, які є потенціальними бар’єрами для електронів.
Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
