Abstract
Porous silicon (por-Si) has a unique set of physic−chemical properties of characteristics — well-developed surface and consequently, a high sorption activity. In a dependence of the fabrication technique it is possible to form pores and clusters of nanometer size that makes this material rather prospective for elaborations in optoelectronics and sensors production. However, high surface activity stipulates porous silicon instability in the atmosphere. The work is concerned with the study of the influence of por-Si surface treatment in the aqueous solution of polyacrylic acid on the composition and photoluminescence of this material. It was found that this treatment can either enhance and stabilize PL of the material or change spectral position of PL band and also enhance its total intensity in a dependence of the fabrication technique.
Highlights
Пористый кремний представляет собой материал с уникальными физико−химическими характеристиками
По мнению авторов, непосредственно на поверхности пор будет формироваться слой, обогащенный связями Si—C, которые являются стабильными во времени и не ухудшают фотолюминесцентные свойства материала [10]
С. Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния / А
Summary
ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет», *ФГКВОУ ВПО «Военно–воздушная академия им. проф. Однако высокая активность поверхности обуславливает нестабильность пористого кремния при его контакте с атмосферой. Исследовано влияние обработки поверхности пористого кремния в водном растворе полиакриловой кислоты на состав и фотолюминесценцию материала. В то же время наличие слабых кремний− водородных связей на поверхности пор обуславливает нестабильность свойств por−Si во времени [5]. Постепенное окисление пористого слоя при его хранении на воздухе за счет разрушения связей Si—H и их замена кремний−кислородными связями, а также гидроксильными группами приводят к снижению ФЛ, ухудшают сорбционные характеристики материала и не позволяют создавать качественные сенсоры на основе por−Si [6]. С другой стороны, модификация поверхности por−Si позволяет получить определенные параметры этого материала, которые важны при разработке сенсорных устройств, а также подложек, используемых для фиксирования биологических объектов микро− и субмикрометровых размеров: бактерий, вирусов и даже фрагментов ДНК [7]. Цель работы — исследование электронного строения и морфологии por−Si, полученного электрохимическим травлением при разных условиях процесса до и после обработки в растворе полиакриловой кислоты
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
