Abstract
The etching of wafers of cadmium telluride in aqueous and nonaqueous solutions before the epitaxial process of building structures CdxHg1-xTe and its influence on the surface quality of epitaxial layers. As the etchants investigated 2—20 % solution of bromine in isobutyl alcohol, 5 % solution of bromine in methanol, dimethylsulfoxide, ethylene glycol, solutions of bromine in hydrobromic acid and mixed with glycerin, a saturated solution of potassium dichromate in sulfuric acid. The speed of etching was varied from 0.2 to 9 µm/min. Polishing Set nature of the etching substrate of cadmium telluride in 5 % solution of bromine in i-butanol, the dissolution process is diffusion in nature and is limited by the mass transfer of the reactants in the temperature range of 10—60 °C, depending on the concentration of bromine and the viscosity of the solution. Studied the morphology and surface finish of epitaxial layers of CdxHg1-xTe, depending on the method of etching the original substrate. Found the optimal compositions of etchants for precipitaciones processing of obtaining structures with a height of asperities of the surface at 0.1 atm.
Highlights
EPITAXIAL LAYERS AND MULTILAYERED COMPOSITIONSВлияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур.
Исследовано травление подложек теллурида кадмия в водных и неводных растворах перед процессом эпитаксиального наращивания структур CdxHg1−xTe и его влияние на качество поверхности эпитаксиальных слоев.
Установлен полирующий характер травления подложек теллурида кадмия в 5%−ном растворе брома в изобутаноле.
Summary
Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур. Исследовано травление подложек теллурида кадмия в водных и неводных растворах перед процессом эпитаксиального наращивания структур CdxHg1−xTe и его влияние на качество поверхности эпитаксиальных слоев. Установлен полирующий характер травления подложек теллурида кадмия в 5%−ном растворе брома в изобутаноле. Исследованы морфология и высота микронеровностей эпитаксиальных слоев CdxHg1−xTe в зависимости от способа травления исходной подложки. Найдены оптимальные составы травителей для предэпитаксиальной обработки с целью получения структур с высотой микронеровностей поверхности на уровне 0,1 мкм. Ключевые слова: химическое травление, подложки теллурида кадмия, бром, изобутиловый спирт, эпитаксиальные структуры. Качество эпитаксиальных слоев определяется как плотностью дефектов, ориентацией, морфологией поверхности подложек CdTe, так и способом, видом, качеством химической обработки перед процессом эпитаксиального наращивания [3,4,5]. CdxHg1−xTe. Для исследования использовали монокристаллические подложки CdTe с ориентацией (111).
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
