Abstract

Penetration of Liquids into Cylindrical Capillaries.---The rate of penetration into a small capillary of radius $r$ is shown to be: $\frac{\mathrm{dl}}{\mathrm{dt}}=\frac{P({r}^{2}+4\ensuremath{\epsilon}r)}{8\ensuremath{\eta}l}$, where $P$ is the driving pressure, $\ensuremath{\epsilon}$ the coefficient of slip and $\ensuremath{\eta}$ the viscosity. By integrating this expression, the distance penetrated by a liquid flowing under capillary pressure alone into a horizontal capillary or one with small internal surface is found to be the square root of ($\frac{\ensuremath{\gamma}\mathrm{rt}\ifmmode\cdot\else\textperiodcentered\fi{}cos\ensuremath{\theta}}{2\ensuremath{\eta}}$), where $\ensuremath{\gamma}$ is the surface tension and $\ensuremath{\theta}$ the angle of contact. The quantity ($\frac{\ensuremath{\gamma}cos\ensuremath{\theta}}{2\ensuremath{\eta}}$) is called the coefficient of penetrance or the penetrativity of the liquid.Penetration of Liquids into a Porous Body.---(1) Theory. If a porous body behaves as an assemblage of very small cylindrical capillaries, the volume which penetrates in a time $t$ would be proportional to the square root of ($\frac{\ensuremath{\gamma}t}{\ensuremath{\eta}}$). (2) Experiments with mercury, water and other liquids completely verify the theoretical deductions.Dynamic capillary method of measuring surface tension is described. It possesses certain advantages on the static method of capillary rise.

Highlights

  • The structure phase composition and properties of silicon carbide and boron carbide ceramics obtained by reactive sintering have been investigated

  • It has been found that they essentially depend on the charge composition and the parameters of carbide skeleton infiltrated with silicon and on the free silicon content

  • It is shown that the density, bending strength, hardness of silicon carbide and boron carbide ceramics obtained by reactive sintering, increase with high the compacting pressure of carbide skeleton

Read more

Summary

Номер состава Composition number

Спрессованным при давлении 50 МПа, крупнозернистая, размеры частиц карбида кремния 20–80 мкм (рис. 6, а). Спрессованным при давлении 50 МПа, крупнозернистая, размеры частиц карбида кремния 20–80 мкм Структура керамики с каркасом высокой плотности (давление прессования 100 МПа) плотная, состоящая из сросшихся частиц первичного и вторичного карбида кремния с микротвердостью 25–27 ГПа, полученного при взаимодействии кремния с углеродом каркаса 1. Установлено, что свойства керамики на основе карбидов кремния и бора, полученной реакционным спеканием, существенно зависят как от состава шихты, так и от параметров карбидных каркасов, пропитываемых кремнием (общей и открытой пористости, формы и размера пор), а также от степени их пропитки. 2. Показано, что плотность, прочность при изгибе, твердость керамики на основе карбида кремния и карбида бора, получаемой реакционным спеканием, повышаются с ростом давления прессования карбидных каркасов. Что керамика на основе карбида бора и карбида бора с 50 % карбида кремния, пропитанная кремнием при высокотемпературном спекании, обладает более высокими значениями прочности и твердости, чем на основе карбида кремния, благодаря более высокой адгезионной прочности на границе раздела частиц карбида бора и связки, вызванной растворением карбида бора в расплаве кремния и образованием на поверхности частиц B4C сложного карбида SiC/B4C–B4Si(B6Si)–Si

Список использованных источников
For citation
Full Text
Paper version not known

Talk to us

Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have

Schedule a call

Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.