Abstract
This paper reviews the literature concerning the specifics of creating Ohmic contacts to AlGaAs/GaAs heterostructures with a 2D electron gas with high electron mobility. The process of annealing the contacts based of the Ni/Au/Ge system is considered, and the recommended parameters of the metalization layers are borrowed from the literature. This process allows reproducible fabrication of Ohmic contacts with a low electrical resistance to temperatures below 4K. Several mechanisms are analyzed which could result in the experimentally observed dependence of the contact parameters on crystallographic orientation. A method of contact fabrication with Au/ Ge/Pd metallization is described for which the contact is formed by mutual diffusion and interaction of the metals and the semiconductor in the solid phase at temperatures below 200 °C. This provides for high composition homogeneity of the contacts, a smooth metal / semiconductor boundary and can reduce the effect of orientation on the electric characteristics of the contact.
Highlights
This paper reviews the literature concerning the specifics of creating Ohmic contacts to AlGaAs/GaAs heterostructures with a 2D electron gas with high electron mobility
A method of contact fabrication with Au/ Ge/Pd metallization is described for which the contact is formed by mutual diffusion and interaction of the metals and the semiconductor in the solid phase at temperatures below 200 °C
Solid phase formation in Au : Ge/Ni, Ag/In/Ge, In/Au : Ge GaAs ohmic contact systems / A
Summary
Посвященной особенностям создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью носителей заряда. Селективно−легированные полупроводниковые гетероструктуы (СЛГС) AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом (ДЭГ) с высокой подвижностью электронов являются в настоящее время основой для создания современных транзисторов, в том числе полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов (high electron mobility transistor, HEMT), приборов для систем телекоммуникаций, СВЧ− и оптоэлектроники, а также высокочувствительных миниатюрных датчиков для систем управления и контроля [1, 2]. Позволяющие исследовать особенности квантового транспорта электронов, также создаются на основе гетероструктур AlGaAs/ GaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью электронов [3]. Если для создания контакта к объемному n−GaAs достаточно легирования небольшой приконтактной области, то в случае СЛГС необходимо обеспечить проводимость всего слоя полупроводника от границы металла до проводящего слоя и при этом не нарушить его проводимость внесением дефектов
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
