Abstract
In this paper, heterostructures with self-organized quantum dots have been produced using incongruent evaporation. Island films on the basis of the intermediate phases forming in the Sn–Se have been grown. The surface morphology of the structures has been studied using atomic force microscopy (AFM). A certain change of the band gap confirms the presence of quantum states in the electron spectrum of the structures. We have found that for obtaining structures with a homogeneous distribution of islands the process of incongruent evaporation should be carried out at high condensate selection rates. By varying the rate of incongruent evaporation of the film material one can achieve directed growth of islet films with a preset islet size distribution.
Highlights
Band lineup of a SnS2/SnSe2/SnS2 semiconductor quantum well structure prepared by van der Waals epitaxy / R
Island films on the basis of the intermediate phases forming in the Sn−Se have been grown
A certain change of the band gap confirms the presence of quantum states in the electron spectrum of the structures
Summary
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва, Россия, *Кабардино–Балкарский государственный университет, Нальчик, Россия. Методом инконгруэнтного испарения получены многокомпонентные наногетероструктуры с самоорганизованными квантово−размерными точками. Обнаружено, что для получения структур с однородным распределением островков необходимо проводить процесс инконгруэнтного испарения при высоких скоростях отбора конденсата. Установлено, что варьированием скорости инконгруэнтного испарения материала пленки можно направленно вырастить островковые пленки с заданным распределением островков по размерам. Что этими методами получают высококачественные структуры, технологическая реализация и эксплуатация их требует, с одной стороны, существенных экономических затрат, а с другой — каждый из этих методов имеет свои физико− химические особенности, ограничивающие их широкое применение в решении задач формирования квантово−размерных структур с заданным набором свойств. В частности, для метода МЛЭ появляются ограничения при получении массивов КТ на основе промежуточных фаз, образующихся в системах, которые характеризуются высокой упругостью паров и инконгруэнтным испарением. Цель работы — установление возможности роста и исследования свойств островковых пленок на основе диселенида олова, имеющего перспективу практического использования в квантовой и оптической электронике
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callDisclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
