Abstract

Diamond single crystals were investigated using the selective etching. The crystals obtained by the thermal–gradient method using the Toroid type high– pressure device in the thermodynamic stability region at a pressure of 5.7 – 6.1 GPa and a temperature of 1420 – 1450°C were examined. Diamond samples had a cubooctahedral habit with the size of 2 – 4 mm; the crystal weight of 0,1 – 0,26 ct. Studies were carried out on plates prepared by parallel plane grinding (100). Before etching, diamond crystals were purified with a mixture of hydrochloric and nitric acids, then washed with chromic mixture. Etching was carried out using potassium nitride and potassium hydroxide at atmospheric pressure and a temperature of 550 ÷. 580°C in a platinum crucible. Experiments were performed in five stages, the total etching time – 85 min. A decrease in weight and changes in the etching patterns of diamond single crystals was observed. It was shown that diamond single crystals have a high perfection degree and low etchability at these temperatures.

Highlights

  • Structural modifications of boron nitride (BN) are widely used in various technologies

  • Развитие методов получения монокристаллов алмаза позволяет получать кристаллы с разными степенями структурного совершенства

  • What a way to find the effective values of static atomic charges in boron nitrides is preferable? It turns out that

Read more

Summary

Введение

Развитие методов получения монокристаллов алмаза позволяет получать кристаллы с разными степенями структурного совершенства. Современное развитие монокристаллов алмаза на затравке методом температурного градиента позволяет получать монокристаллы типов Ib, IaA, IIa, IIb [1,2,3,4]. В Институте сверхтвердых материалов НАН Украины проведены широкомасштабные работы относительно получения структурно-совершенных монокристаллов алмаза с различными свойствами; это позволяет исполнять на них последовательные исследования структуры образцов, полученных при разных условиях роста и путем после ростовой обработки. Обычно кристаллы алмаза имеют значительное количество точечных, линейных и планарных дефектов, которые определяют их свойства. Дислокационная структура кристаллов алмаза, полученных путем выращивания на затравке при высоких давлениях и температурах, изучены мало, хотя они влияют на механические свойства кристаллов и их напряженное состояние. Поэтому исследование дислокационной структуры монокристаллов алмаза является актуальным

Анализ литературных данных и постановка проблемы
Цель и задачи исследования
Исследование монокристаллов алмаза методом избирательного травления
Выводы
Introduction
Full Text
Paper version not known

Talk to us

Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have

Schedule a call

Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.