Abstract
Filmes finos de CdTe foram obtidos por eletrodeposição catódica, a partir de uma solução de CdSO4, H2SO4 e Te. Os filmes foram depositados à temperatura ambiente, sobre substratos de vidro cobertos com SnO2 ou In2O3:Sn. A influência do potencial de deposição nas propriedades microestruturais e óticas dos filmes foi investigada. Os valores de banda proibida dos filmes ficaram na faixa de 1,40 e 1,50 eV, próximos ao valor da banda do CdTe volumétrico. Um potencial de deposição ótimo foi determinado para cada substrato. O aquecimento do eletrólito a 50 ºC não foi suficiente para provocar grandes alterações na cristalinidade, mas promoveu a formação de filmes com menor quantidade de defeitos. Isto sugere que um tratamento térmico pós-deposição possa melhorar as propriedades destes filmes para aplicações fotovoltaicas.
Highlights
CdTe thin films were obtained by cathodic electrodeposition from a solution of CdSO4, H2SO4, and Te
O destaque é para a First Solar, líder mundial na produção de módulos fotovoltaicos, que atingiu em 2011 a marca de 2GWp, somente com a tecnologia de filme fino de CdTe [2]
Esta desvantagem é mais do que compensada pelas excelentes propriedades de absorção deste semicondutor no espectro visível [17]
Summary
A célula eletroquímica era constituída de um conjunto de eletrodos imersos em um eletrólito contido em um béquer, onde uma reação de oxidação-redução ocorria ao se aplicar uma diferença de potencial. Cinco eletrodos foram utilizados: i) dois ânodos, sendo um inerte (grafite) e outro de telúrio (Te), atuando, respectivamente, como auxiliar, completando o circuito da célula eletrolítica, e fonte de íons de Te (IV); este arranjo permitiu repor a quantidade de íons HTeO+2 no eletrólito; ii) um cátodo (eletrodo de trabalho), substrato condutor onde se produziam as reações eletroquímicas de redução; o fluxo de corrente no eletrólito ocorria entre o eletrodo de trabalho e o eletrodo auxiliar; iii) um eletrodo extra de grafite, utilizado como cátodo para separar a redução de CdTe no substrato da introdução de íons HTeO+2 no eletrólito; iv) um eletrodo de referência de Ag/AgCl, empregado para medir o potencial do eletrodo de trabalho. Ambos os substratos possuíam resistência de folha na faixa de 10-20 Ω/
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