背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器的i-GaN和p-GaN厚度设计

Abstract

研究了i-Ga N和p-Ga N厚度对背照射和正照射p-i-n结构Ga N紫外探测器响应光谱的影响。模拟计算发现:对于背照射结构,适当地减小i-Ga N厚度有利于提高探测器的响应,降低i-Ga N层的本底载流子浓度也有利于提高探测器的响应;p-Ga N的欧姆接触特性好坏对探测器的响应影响不大,适当地增加p-Ga N厚度可以改善探测器性能。而正照射结构则不同,i-Ga N厚度对探测器的响应度影响不大,但欧姆接触特性差将严重降低探测器的响应,适当地减小p-Ga N厚度可以大幅度改善探测器的响应特性。能带结构和入射光吸收的差别导致了正照射和背照射探测器结构中i层和p层厚度的选择和设计不同。