PDMS 기능성 박막을 이용한 적은 게이트 누설 전류 특성을 가지는 유기트랜지스터의 제작

Abstract

Polydimethylsiloxane (PDMS) 기능성 박막을 도입하여 적은 게이트 누설 전류 특성을 가지는 유기트랜지스터를 제작하고 평가하였다. UV/ozone 처리를 하여 PDMS 표면에 위치한 소수성의 메틸 그룹의 화학적 결합을 끊어 친수성 실리콘 산화막 성질로 표면을 변화시키고 선택적인 펜타신 증착을 유도하였다. Off 전압상태 (<TEX>$V_g-V_t</TEX><TEX>></TEX><TEX>0$</TEX>)에서 게이트 전압에 의해 기인하는 누설 전류는 선형영역 (<TEX>$V_d=-5\;V$</TEX>)과 포화영역 (<TEX>$V_d=-30\;V$</TEX>)에서 <TEX>${\sim}10^{-10}$</TEX> A의 값을 보여주며 기존의 트랜지스터 보다 개선된 누설 전류 특성을 나타내었다. We present a technique for fabricating low leakage organic field-effect transistors by a functional polydimethylsiloxane (PDMS) layer. The technique relies on the photo-chemical process of conversion of the PDMS to a silicon oxide which provides the selective growth of pentacene thin films. The reduced gate leakage current showed <TEX>${\sim}10^{-10}$</TEX> A in a linear (<TEX>$V_d=-5\;V$</TEX>) and saturation (<TEX>$V_d=-30\;V$</TEX>) region at <TEX>$V_g-V_t</TEX><TEX>></TEX><TEX>0$</TEX>.