Abstract
The electrical properties (Hall, PL, DLTS data) are presented of undoped GaAs VPE layers, grown in the hydride system. The variation of these properties in dependence on a variation of the GaCl partial pressure in the VPE growth regime is investigated. An optimum in electrical proper-ties, depending on actual growth conditions, is found. This optimum cannot be related to a fixed Ga/As ratio. Es werden die elektrischen Eigenschaften (Hall-, PL- und DLTS-Daten) von undotierten VPE-GaAs Schichten, die im Hydrid-System gezuchtet werden, vorgestellt. Es wird die Veranderung dieser Eigenschaften in Abhangigkeit von der Variation des GaCl Partialdruckes im VPE-Zuch-tungsprozes untersucht. Es wird ein von den aktuellen Zuchtungsbedingungen abhangiges Opti-mum dieser Eigenschaften gefunden. Dieses Optimum kann nicht mit einem festen Ga/As-Ver-haltnis in Verbindung gebracht werden.
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