Abstract
为充分研究化学物质在电离层释放的扰动效应和后期发展效果，基于化学物质在电离层的扩散模型、化学反应和电离层扩展F的控制模型，通过电离层H<sub>2</sub>O的释放，研究电子e，H<sub>2</sub>O，O<sup>+</sup>和H<sub>2</sub>O<sup>+</sup>共4种粒子的分布状态，分析点源、多源和线源释放对电离层的扰动效果，比较不同高度、不同量和不同时间释放的影响结果，模拟夜间释放后期所激发的扩展F发展差异.结果表明，H<sub>2</sub>O在电离层释放后，能有效耗散背景电子形成空洞，O<sup>+</sup>和H<sub>2</sub>O<sup>+</sup>数密度呈椭圆形分布；点源、多源和运动目标线源等不同释放方式对电离层的扰动效果不同，证实了人工影响一定形态和区域电离层的可能性；H<sub>2</sub>O释放扰动幅度，低层大于高层，白天强于夜晚，释放量越多扰动越突出；夜间化学释放能激发扩展F，并且释放量越多，激发效果越好.
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