Abstract
为充分研究化学物质在电离层释放的扰动效应和后期发展效果,基于化学物质在电离层的扩散模型、化学反应和电离层扩展F的控制模型,通过电离层H<sub>2</sub>O的释放,研究电子e,H<sub>2</sub>O,O<sup>+</sup>和H<sub>2</sub>O<sup>+</sup>共4种粒子的分布状态,分析点源、多源和线源释放对电离层的扰动效果,比较不同高度、不同量和不同时间释放的影响结果,模拟夜间释放后期所激发的扩展F发展差异.结果表明,H<sub>2</sub>O在电离层释放后,能有效耗散背景电子形成空洞,O<sup>+</sup>和H<sub>2</sub>O<sup>+</sup>数密度呈椭圆形分布;点源、多源和运动目标线源等不同释放方式对电离层的扰动效果不同,证实了人工影响一定形态和区域电离层的可能性;H<sub>2</sub>O释放扰动幅度,低层大于高层,白天强于夜晚,释放量越多扰动越突出;夜间化学释放能激发扩展F,并且释放量越多,激发效果越好.
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have