Nonohmic behaviour of tellurium with intrinsic and near-intrinsic carrier concentration

Abstract

Investigations of the nonohmic behaviour of intrinsic and near-intrinsic tellurium were performed by voltage probe measurements, double pulse experiments and measurements with T-shaped samples. It is shown, that the nonohmic behaviour for T > 180 K is not due to acoustoelectric amplification but is caused by a depletion layer of electrons near the cathode. The development of the depletion layer is explained by a blocking contact for electrons at the cathode contact. Mit Hilfe von Potentialsonden, Doppelimpulsen und T-förmigen Proben wurden Untersuchungen über das nichtohmsche Verhalten von Tellur im intrinsischen und nahezu intrinsischen Bereich durchgeführt. Es wird gezeigt, dass das nichtohmsche Verhalten nicht auf eine akustoelektrische Verstärkung zurückgeführt werden kann, sondern durch eine Verarmungsschicht an Elektronen in der Nähe der Kathode verursacht wird. Die Entstehung der Verarmungsschicht wird durch einen sperrenden Kontakt für Elektronen an der Kathode erklärt.