Abstract
Results of experimental work with nanosized silicon (NcSi) samples which are not degraded under the action of intense laser radiation have been obtained. We show that that a significant increase in the intensity of the photoluminescence signal from NC may be caused by the structural features of their formation and by the presence of a thin SiO2 layer on the surface of the nanocrystals.
Highlights
Наноразмерный кремний (НК) привлекает пристальное внимание в связи с возможностью испльзования его в качестве материала для излучателей видимого диапазона, встроенных в матрицу кремния
I. Enhanced photoluminescence from porous silicon formed by non−standard preparation
Доступная для тех или иных молекул, является одним из ключевых ности наноматериалов, помимо распространенных методов оптической, сканирующей зондовой и растровой электронной микроскопии, применя-
Summary
Представлены результаты исследований образцов наноразмерного кремния (НК), не деградирующих под действием интенсивного лазерного излучения. Что значительное увеличение интенсивности сигнала фотолюминесценции от НК может быть связано как с особенностями их структурного строения, так и с наличием тонкого слоя SiO2 на поверхности нанокристаллов. Наноразмерный кремний (НК) привлекает пристальное внимание в связи с возможностью испльзования его в качестве материала для излучателей видимого диапазона, встроенных в матрицу кремния. На основании имеющихся данных вклад в фотолюминесценцию (ФЛ) НК может давать излучение нанокристаллов кремния, сдвинутое в видимую область спектра из−за квантово−размерных эффектов. Что появление сигнала ФЛ в области спектра красного свечения может быть связано с существованием комплексов типа локализованная дырка плюс ион кислорода, не участвующий в образовании мостиковых связей [2]. Были проведены исследования спектров ФЛ полученных структур НК, деградации сигнала ФЛ со временем, в том числе под действием лазерного излучения различной мощности. Наряду с этим регистрировали FTIR− спектры исследуемых образцов, что дало возможность контролировать структуру и свойства поверхностных состояний НК
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
