Abstract

The high voltage electron microscope has been used to introduce and observe multi-faulted dislocation loops in aluminium. A wide variety of different loop configurations, including double and triple-layer defects, was encountered in helium preinjected aluminium and compared with that from quenching investigations by other authors. The observation that faulted dislocation loops formed under a wider range of irradiation temperatures and with a wider variety of configurations in aluminium previously doped with a few ppm helium than they did in uninjected material, suggests that helium can influence the process of fault formation. Le microscope électronique à haute tension a été utilisé dans le but d'introduire et d'observer des boucles de dislocations à fautes multiples. Une grande variété de configurations de boucles, y compris des défauts d'empilement doubles et triples, fut observée dans de l'aluminium préinjecté d'hélium et comparées à celles observées dans d'autres travaux publiés par différents auteurs. Le fait que les bouches de dislocations furent obtenues dans un intervalle de températures plus étendu et assumèrent un plus grand nombre de formes dans les échantillons dopés de quelques ppm d'hékium que dans ceux qui ne l'étaient suggère que l'hélium peut influencer le procédé de formation des défauts. Mit einem Hochspannungselektronenmikroskop wurden mehrfach defekete Veschiebungsschleifen in Aluminiumproben erzeugt und beobachtet. Eine Vielfalt verschiedener Schleifenformen, unter anderen doppelte und dreifache Schichtdefekte, wurden in Aluminium aufgefunden, das mit Helium präinjiziert wurde, und diese Befunde mit Untersuchungen anderer Autoren verglichen, die an gelöschtem Material arbeiteten. Wenn das Aluminium zuerst mit einigen ppm Helium dotiert wurde, traten defekte Verschiebungsschleifen in einem größeren Bestrahlungstemperaturbereich auf und zeigten eine größere Vielfalt der Konfigurationen als im nicht injizierten Material. Daraus läßt sich scließen, daß Helium die Defektbildung beeinflulsBt.

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