Abstract
The process of silicon nanocluster formation during annealing of single SiO layers and multilayer SiO2—SiO—SiO2 structures or after Si deposition on silicon dioxide substrate was studied. A kinetic Monte Carlo model of silicon nanocluster formation taking into account silicon monoxide formation and dissociation was suggested. Not only temperature and annealing time but also SiO layer thickness determined the nanocluster sizes when SiO2—SiO—SiO2 structures were annealed. Simulation demonstrated that silicon monoxide forming in the Si—SiO2 system at high temperatures plays an important role in the process of nanocluster formation. Silicon monoxide also accounts for some specific features of 3D silicon islands formation during silicon deposition on silicon dioxide surface.
Highlights
Интерес к нанокластерам кремния (Si−нк), покрытым оксидной оболочкой, обусловлен их применением в современной опто− и наноэлектронике
Quantum confinement and recombination dynamics in silicon nanocrystals embedded in Si
near−infrared luminescence from silicon nanostructures formed by ion implantation and pulse annealing
Summary
Изучен процесс формирования нанокластеров кремния при отжиге одиночных слоев состава SiO и слоистых структур SiO2— SiO—SiO2 и осаждении кремния на поверхность диоксида кремния. Предложена кинетическая Монте—Карло−модель формирования нанокластеров кремния при высокотемпературном отжиге слоев SiOx нестехиометрического состава, учитывающая процессы образования и распада монооксида кремния. При высокотемпературном отжиге слоев нестехиометрического состава наряду с процессом диффузии атомов кислорода и кремния происходит образование монооксида кремния [7, 12, 13]. Однако при отжиге слоев SiOx не удалось только за счет диффузионного переноса атомов кремния получить компактные Si−кластеры, имеющие сплошную границу с матрицей SiO2. Ниже рассмотрены результаты исследования процесса формирования Si−нк при отжиге слоев SiOx методом Монте—Карло с учетом дополнительного механизма переноса кремния в слоях диоксида кремния — за счет диффузии частиц SiO, существующих в слоях нестехиометрического состава при высоких температурах.
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
