Microwave active resonator band-pass filters in various mmic technologies

Abstract

Cet article presente deux topologies de resonateurs actifs a circuits LC paralleles trois transistors, en technologie MESFET, HEMT ou HBT. Il montre la possibilite, en agissant sur la valeur d’une resistance et/ou d’une capacite, d’une part de fixer la frequence de resonance de ces circuits paralleles, et d’autre part de reduire leurs pertes jusqu’a obtenir une conductance negative. Ces resonateurs MMIC sont ensuite utilises pour synthetiser des reseaux compacts de filtrage en echelle, de bande etroite et sans pertes. Tandis que l’utilisation d’une technologie mmic a base de transistors mesfet avait restreint, jusqu ’a present, la synthese de ce type de filtres aux frequences de la bande S et aux frequences basses de la bande X, l’emploi de transistors HEMT et HBT permet d’etendre leurs realisations a toute la bande X. Cette etude est illustree par la simulation d’un filtre centre sur 10 GHz, de bande passante 500 MHz, realise a partir d’une technologie hemt 0,2 [un. La reponse du filtre presente un gain de 0,5 dB et des pertes par retour meilleures que 10 dB dans la bande passante.