Abstract

This paper presents the results of porous structure analysis of polishing materials based on polyurethanes used in chemicalmechanical planarization process of IC layers.

Highlights

  • В данной работе представлены результаты анализа пористой структуры полировальных материалов на основе полиуретанов, применяемых в процессе химико-механической планаризации слоев интегральных схем

  • This paper presents the results of porous structure analysis of polishing materials based on polyurethanes used in chemicalmechanical planarization process of IC layers

  • Chemical Mechanical Polishing in Silicon Processing, Volume 63 Semiconductors and Semimetals Vol 63, Academic Press / Lee M

Read more

Summary

Структура и свойства

В данной работе представлены результаты анализа пористой структуры полировальных материалов на основе полиуретанов, применяемых в процессе химико-механической планаризации слоев интегральных схем. Реализация которого невозможна без применения полимерных материалов, является процесс химико-механической планаризации (ХМП) интегральных схем, сущность которого заключается в полировке слоев полупроводниковых пластин для достижения абсолютно плоской поверхности. Эффективность полирования пластин зависит от ряда факторов, таких как состав полировальной суспензии, структура верхнего слоя обрабатываемой пластины, структура и свойства полировального материала, а также регенерации (кондиционирования) его поверхности [1 3]. Цель работы – анализ структуры полировальных материалов на основе полиуретанов, применяемых для химико-механической планаризации полупроводниковых пластин. На сегодняшний момент для обработки полупроводниковых пластин при изготовлении интегральных схем чаще всего используют полировальные материалы с лицевой поверхностью из полиуретанов, которые обладают сбалансированными механическими свойствами, такими как прочность, твердость, упругость, а также хорошая химическая стабильность. В качестве объектов исследования в работе использовали промышленные образцы ряда полировальных полимерных материалов: IC 1000 (производство Dow, США), Politex (производство DuPont, США), Аналог IC 1000 (производство Китай), DOW IC 1010 (производство Dow, США), TWI-817 (производство Thomas West, США), Fujibo 804 CZM (производство Fujibo, Япония)

Методы исследования
Экспериментальная часть
Вертикально ориентированные открытые и закрытые поры
Результаты и обсуждение
Full Text
Paper version not known

Talk to us

Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have

Schedule a call

Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.