Abstract
Objective. The objective of the study is to obtain high-quality and reproducible electrophysical parameters of thin-film metal layers, the formation technology of which determines the reliability and quality of microelectronic products – silicon transistors.Methods. A method for forming a two-layer titanium-germanium metallization to create a contact and remove heat from the collector junction of high-power semiconductor transistors on the reverse side of plates with formed structures is proposed. The proposed method ensures the quality of the soldered connection and thermal stabilization of semiconductor devices, increasing the reliability of the studied devices in radio electronic equipment systems.Results. This combination of sprayed metals provides a reliable contact to the collector area when the crystal is placed on the base of the case, which reduces the resistance of the ohmic transition and increases the output of suitable devices.Conclusion. Based on the results of experimental procedures, the optimal thicknesses of metal layers deposited on the reverse side of transistor crystals were obtained during the formation of metallization to fit crystals on the base of the case. The Ti-Ge system stability is studied. The technical result of the research is to improve the quality of planting by obtaining a uniform distribution of the Ti-Ge layer in a single technological cycle at a given temperature with a certain thickness for each metal separately.
Highlights
Зависимость толщины пленки титана от скорости движения полета при различной мощности катода
Для получения необходимых толщин их слоев получают следующие технические режимы напыления: титан при мощности катода-1400Вт и скорости движения полета - 0,03мм/мин, а германий при той же мощности скорость движения полета - 0,06 мм/мин
Optimization of ohmic contact metallization process for AlGaN/GaN high electron mobility transistor.Transactions on Electrical and Electronic Materials
Summary
Воспроизводимых по электрофизическим параметрам тонкопленочных металлических слоев является одним из важнейших технологических процессов формирования структур кристалла полупроводниковых транзисторов. Важным этапом в технологии металлизации обратной стороны мощных кремниевых транзисторов является контроль параметров тонких металлических пленок - скорости напыления, толщины и ее равномерности, поверхностного сопротивления. Анализ статистических данных показал зависимость брака транзисторных структур КП-961 по электрическим параметрам от технологии обработки и напыления обратной стороны, а также от технологии посадки кристалла на основание корпуса ТО-218.
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have