Laser-induced damage resist properties of monolayer optical thin films prepared by PECVD technology

Abstract

采用PECVD技术在BK7玻璃基底上沉积了不同厚度的单层SiO2（折射率为1.46）和SiNx（折射率为1.84）光学薄膜，并对这2种膜层进行抗激光损伤阈值（LIDT）测试，分析讨论了PECVD技术制备的单层光学薄膜与抗激光损伤特性之间的关系。实验结果表明：PECVD技术制备的单层SiO2薄膜有较高的LIDT，薄膜光学厚度在o/4~o/2之间时，在光学厚度为350 nm时，LIDT有最小值21.7 J/cm2，光学厚度为433 nm时，LIDT有最大值27.9 J/cm2。SiNx薄膜的LIDT随着光学厚度增加而减小，在光学厚度为o/4时，LIDT有最大值29.3 J/cm2，光学厚度为o/2时，LIDT有最小值4.9 J/cm2。