Abstract
Investigation on the properties of large [100]−oriented InSb single crystals grown by Czoсhralski method The properties of undoped and heavily Te doped large single crystals of InSb grown by Czochralski method in the [100] direction and intended for use in IR photodetectors of new generation were studied. It was found that the non−uniformity in undoped crystals does not exceed 10—16%. The average dislocation density in this ingots was 7 101 cm−2 and their distribution along the diameter of (100)−oriented wafers was much more uniform than for the (211)−oriented wafers. We also studied the microstructure of heavily Te doped InSb crystals. It was established that the dislocation density in these crystals was below 1 102 cm−2. Te doping producing the electron concentration higher than 1,5 ⋅ 1018 cm−3 gave rise to the formation of high density of precipitates. The optical transmission of the samples with electron concentration ~6,9 ⋅ 1017 cm−3 was found to de higher 40 % for the wavelength range of 3—5 µm
Highlights
С целью использования их в качестве материала для подложек при создании ИК фотоприемных устройств нового поколения
Результаты измерений показали, что значения электрофизических параметров крупногабаритных нелегированных монокристаллов антимонида индия, выращенных в кристаллографическом направлении [100], находятся на уровне аналогичных параметров монокристаллов, полученных по стандартной технологии в кристаллографическом направлении [211] диаметром до 40 мм (концентрация электронов n = = 8 · 1013÷2 · 1015 см−3, проводимость электронов μ = (5,0÷3,0) · 105 см2/(В ⋅ с) при 77 К)
Преобразователь (генератор) основе теллурида висмута с нанесенными на рабочие поверхности металлическими антидиффузионными и контактными слоями, электрически соединенных, как правило, последовательно
Summary
С целью использования их в качестве материала для подложек при создании ИК фотоприемных устройств нового поколения. Использование таких кристаллов в качестве оптически прозрачных подложек в гомоэпитаксиальных структурах ность электрических свойств в крупногабаритных нелегированных монокристаллах антимонида индия, ориентированных в наматериалов для изготовления линейных и матричных фотоприемников, работающих в спектральном. Ние качественно новых монолитных нида индия проводят на подложки, гораздо более равномерно, чем в пластинах с ориентацией (211). Установлено, что средняя плотность дислокаций в них не превышает значения 1 · 102 см−2. Цель работы — разработка спообразцах с концентрацией носителей ~6,9 · 1017 см−3 величина оптического пропускания в интервале длин волн 3—5 мкм составляет не менее 40 %. Ключевые слова: антимонид индия, монокристалл, Чохральский, дефекты, оптическое пропускаэтой примеси (~2 · 1018 см−3), в связи с существенным увеличением в таком материале оптического пропускания нида индия методом Чохральского в направлении [100], а также изучение их электрофизических и структурние, неоднородность.
Sign-in/Register to view highlights & summary Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
