Abstract
研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu 3 Ti 4 O 12 陶瓷深陷阱松弛特性. 测试了CaCu 3 Ti 4 O 12 陶瓷在频率为0.1~10 7 Hz, 温度为–100~100℃的范围内的介电频谱及温谱. 通过对不同温度下介电频谱的分析, 研究了双Schottky势垒结构中深陷阱松弛特性. 研究表明：在交流小信号作用下, 由于Schottky势垒中深陷阱与Fermi能级的上下关系发生变化, 引起深陷阱电子发射和俘获即电子松弛过程, 在介电频谱中表现为松弛峰; 并且由介电谱的分析结果可得深陷阱能级等微观参数. 比较不同试样的深陷阱参数可知：在CaCu 3 Ti 4 O 12 陶瓷中, 在导带以下约0.52和0.12 eV的能级处存在由本征缺陷产生的深陷阱. 介电温谱与频谱的分析类似, 二者可以互为补充.
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