Abstract
AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test subjects. The capacity− voltage characteristic measurements have been run in 200Hz — 1MHz frequency range at planar disposition of mercury and second probe on the sample surface. The shape of typical C−V curves for the heterostructures with the upper undoped i−AlGaN and i−GaN layers at thickness 15—25 A have been analyzed. The appearance of a typical peak on the C−V curves at changing from depletion region to accumulation region has been registered for some structures with thickness of i−GaN layer 50A at low frequencies (f < 50—200 kHz). The height of this peak increased with reduction of frequency. It has been found experimentally that frequency at which the peak is registered can depend on the dislocation density in heterostructures. Possible explanation of the peak formation and band diagram modifications in these structures under an applied electric field have been presented. We show that using a Si3N4 passivation layer results in the formation of additional positive charge.
Highlights
AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test subjects
The capacity− voltage characteristic measurements have been run in 200Hz — 1MHz frequency range at planar disposition of mercury and second probe on the sample surface
The appearance of a typical peak on the C−V curves at changing from depletion region to accumulation region has been registered for some structures with thickness of i−GaN layer 50A at low frequencies (f < 50—200 kHz)
Summary
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN. Проанализирован вид типичных С—V−характеристик для гетероструктур с верхними нелегированными слоями i−AlGaN и i−GaN при толщине верхних слоев 1,5—2,5 нм. Что использование пассивирующего слоя Si3N4 приводит к возникновению дополнительного положительного заряда в барьерном слое. Для решения проблемы поверхностных ловушек в технологии AlGaN/GaN−НЕМТ−транзисторов используют пассивирующие слои. В частности, используют ряд поверхностных слоев (SiO2, Si3N4), а также так называемые сар−слои (i−GaN на AlGaN/GaN и InGaN на АlGaN/GaN). Наличие этих слоев может улучшить такие транзисторные характеристики, как уровень тока насыщения, повышение пробивных напряжений, снижение уровня шумов [3, 4]. Ниже рассмотрены результаты исследования влияния верхних слоев i−GaN и Si3N4 на частотные емкостные параметры гетероструктур AlGaN/GaN с целью большего понимания механизма работы таких слоев
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
