Abstract

Çalışmada, ardışık düşük doz gama () ışınlarının mono-kristal Silisyum (c-Si) güneş hücresi üzerine etkisi incelendi. ışını kaynağı olarak 60Co kullanılmıştır. c-Si güneş hücresinin performansı, radyasyon öncesi ve sonrası karanlık ve AM1.5G ışık koşullarında alınan akım-voltaj (I-V), dışsal kuantum verimlilik (EQE), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/-V) ölçümleri ile belirlenmiştir. Deneysel sonuçlar, radyasyona maruz kaldıktan sonra hücrelerin idealite faktörlerinin arttığını göstermektedir. Doz miktarı arttıkça kısa devre akımı (Isc) ve verim () değerleri azalırken, açık devre voltajı (Voc) ve doluluk faktörü (FF) değerleri ise yaklaşık sabit kalmaktadır. Dışsal kuantum verimlilik (EQE) ölçümleri, güneş hücresinde oluşan hasarın taban katmanında oluştuğu gösterirken, hücrede oluşan bu hasarın azınlık yük taşıyıcısı yarı ömründe oluşan azalma ile ilişkilendirilmektedir. Ayrıca, aygıt performansındaki değişim C-V ve G/-V ölçümleri ile de doğrulanmıştır. Deneysel sonuçlar, radyasyon öncesi ve sonrası karşılaştırılarak tartışılmıştır.

Talk to us

Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have

Schedule a call

Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.