Abstract
El oxido de estano ha despertado gran interes cientifico y tecnologico por su potencial uso en la obtencion varistores. Con el fin de mejorar las propiedades microestructurales y electricas que estos dispositivos presentan se viene estudiando el efecto de incorporar diferentes dopantes, entre ellos el TiO2 y la Al2O3. El efecto que estos oxidos tienen sobre el comportamiento de los varistores del sistema Sn-Co-Nb-Ti-Al, obtenidos a traves del metodo de precursor polimerico (Pechini), fue investigado en este trabajo. La materia prima sintetizada se caracterizo utilizando Difraccion de Rayos X (DRX) y Microscopia Electronica de Barrido (MEB). Muestras sinterizadas se caracterizaron microestructural y electricamente encontrandose que el TiO2, aparentemente, favorece el crecimiento de grano y la Al2O3 contribuye a la disminucion del mismo, efecto que se manifiesta en los varistores con base en Sn-Co-Nb. El campo de ruptura se incremento hasta los 6300V/cm al aumentar el contenido de Al2O3 y se obtuvieron coeficientes de no-linealidad de 22.
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