Influence of impurities and conditions of growing the silicon single crystals by Czochralski method on the value of lifetime of non-equilibrium charge carriers

Abstract

В работе исследуется влияние содержащихся в монокристаллическом кремнии таких примесей, как кислород, углерод, бор, а также скорости охлаждения выращиваемого монокристалла на время жизни неравновесных носителей заряда. Установлено, что повышение концентрации кислорода и бора способствует увеличению времени жизни неравновесных носителей заряда, а увеличение концентрации углерода и скорости охлаждения монокристалла кремния ведет к уменьшению времени жизни неравновесных носителей заряда.