Abstract
Results on the influence of Ge ion implantation into pyrogenic SiO2 on radiation charge accumulation are presented. Ge embedding in the silicon dioxide/ silicon system has been analyzed theoretically. We show that Ge ion embedding in the stoichiometric silicon dioxide at the silicon dioxide/ silicon interface or forming Ge nanoclusters in the SiO2 bulk provide an energetic advantage.
Highlights
ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Size distributed Ge nanoclusters embedded in SiO2 layers produced by ion beam
positive charges in Ge+ ion implanted silicon dioxide layers subjected to high−field electron injection
Summary
ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ. Представлены результаты исследования влияния имплантации германия в пирогенный оксид на процессы накопления заряда при воздействии ионизирующего излучения. Следовательно, процессы, протекающие в системе «кремний — диоксид кремния» при воздействии ионизирующего излучения и проявляющиеся в накоплении заряда в оксиде и увеличении плотности поверхностных состояний на границе раздела оксид—полупроводник, приводят к нестабильности и сбоям при работе транзисторных структур. В работе [4] изложен способ повышения стойкости приборов на структурах «кремний−на− изоляторе» к низкоэнергетическому ионизирующему излучению путем имплантации захороненного оксида ионами из следующей группы элементов: Al, As, B, N, Ge. При этом отмечается, что наиболее важными параметрами для достижения повышенной стойкости приборов к воздействию ИИ являются доза и энергия имплантации примеси, внедряемой в диоксид кремния. Ниже представлены результаты экспериментальных исследований влияния имплантации на процессы накопления заряда в структуре МОП с диэлектриком, аналогичным подзатворному, при воздействии низкоэнергетического стационарного рентгеновского излучения.
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
