Abstract

Solving the issue of compatibility for the new domestic developments with continuously implemented and used in global microelectronics industry cutting-edge standards requires substantial work on analysis and optimization of the implementation environment. The results of the new Elbrus 8SV microprocessor DDR4 random access memory channel study are provided in this article. The much lower than estimated channel data transfer speed has become the main issue. In order to overcome it the channel functioning study method has been developed and implemented. It is based on forming the analogs of eye diagrams, which allow estimating the area of operability and using the optimal settings. Studies held using this method allowed establishing the cause for unsatisfactory performance of the channel and objectively assessing design decisions made during development. After taking these results into account and applying changes to the chip and the circuit board of the microprocessor case, an improved version of the microprocessor was released. It became possible to achieve the calculated data transfer speed via the memory channel.

Highlights

  • Решение проблемы совместимости новых отечественных разработок с передовыми стандартами, постоянно осваиваемыми и используемыми в мировой микроэлектронной индустрии, требует основательной работы по анализу и оптимизации системной среды их внедрения

  • The results of the new Elbrus 8SV microprocessor DDR4 random access memory channel study are provided in this article

  • In order to overcome it the channel functioning study method has been developed and implemented. It is based on forming the analogs of eye diagrams, which allow estimating the area of operability and using the optimal settings

Read more

Summary

Компенсация искажений сигналов в канале памяти

Для улучшения характеристик сигналов в канале памяти DDR4 предусмотрены механизмы подстройки характеристик канала под внешние условия. Можно управлять согласующими сопротивлениями, выходными сопротивлениями сигналов, масками включения дополнительных сопротивлений на линии, длиной линий задержек и другими характеристиками. Предусмотрена возможность изменять параметры как со стороны микропроцессора, так и со стороны модуля памяти. Часть из них настраивается автоматически специальным внутренним алгоритмом тренировки канала. Другие задаются исходя из условий использования и зависят от конфигурации канала, применяемых модулей памяти, разброса характеристик микропроцессора и платы. Выбор неподходящего набора параметров может привести как к увеличению вероятности сбоя в процессе работы, так и к полной неработоспособности вычислительного комплекса

Technologies and production
Area of operability
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
Full Text
Paper version not known

Talk to us

Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have

Schedule a call

Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.