Abstract

(1,3-ジフェニルトリアゼニド)ジヒドリドビス(トリフェニルポスフィン)ロジウム(III)(ジヒドリドロジウム錯体)-ジメチルスルホキシド系によるスチレンの水素化反応を 30℃ で行い,反応を速度論を用いて検討した。その結果,反応速度はジヒドリドロジウム錯体濃度の 1 次と水素の分圧の1次,およびスチレン濃度の 0 次に比例することがわかった。また,スチレンのベンゼン環のパラ位に電子求引性の基を導入することにより水素化反応は速くなり,一方,電子供与性の基の導入では水素化反応は遅くなることがわかった。さらに,スチレ湘灘の水素化反応の結果と Hammett のσ+との間には直線関係が認められた。

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