Abstract
The capabilities of an XMD−300 diffractometer were explored in three measurement setups, i.e. sliding primary beam, diffracted primary beam, θ–2θ setup for the crystalline perfection investigations of semiconductor heterostructures (SOS, SOI, AlGaN/GaN/Si, ion implanted silicon layers). We show that measurements using these three setups in scattered radiation and at direct validity of Bragg’s diffraction condition allowed receiving diffraction interference patterns simultaneously from the crystal lattice of several layers and interferential picks of maximum intensity for each individual layer.
Highlights
Рассмотрены возможности использования дифрактометра XMD−300 при трех схемах съемки: скользящего первичного пучка, скользящего дифрагированного пучка, схемы θ—2θ для исследования кристаллического совершенства полупроводниковых гетероструктур
Однако потеря мощности при работе на этих установках, составляющая до 99,99 %, обуславливает необходимость увеличения мощности рентгеновской трубки до 5—10 кВт, ужесточая требования по стабилизации напряжения и тока и к специально оборудованным помещениям для работы на дифрактометрах
Потери при точном соблюдении условия брэгговской дифракции составляют до 60—70 % в зависимости от атомного номера анода
Summary
Применение в современном однокристальном многофункциональном дифрактометре XMD−300 поликапиллярной оптики Кумахова, основанной на полном внешнем отражении пучков рентгеновских лучей от стенок капилляров диаметром 30 мкм, собранных в монолитную полулинзу (конденсор), позволяет значительно сократить размеры устройства формирования первичного рентгеновского пучка и частично его монохроматизировать, а рассеяние на краях капилляров и вырезающей щели методологически использовать для получения общей итерференционной картины дифракции в рассеянном излучении при отсутствии характеристических отражений для монокристальной схемы θ—θ. Основным недостатком дифрактометра ХМD− 300 при исследовании монокристаллических материалов является, конечно, недостаточная монохроматичность рентгеновского пучка, что приводит к неполному отсечению тормозного излучения. Ниже рассмотрены результаты разработки методологических приемов работы на дифрактометре ХМD−300, частично компенсирующих недостатки установки и позволяющих получать максимально полную и достоверную информацию при исследовании приповерхностных слоев различных полупроводниковых объектов, в частности гетероструктур с субмикро− и нанометровыми слоями
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
