Abstract
A review of the current state of the GaAs market as well as the state and the prospects of the Russian market have been provided. A brief analysis of the current state of RF−devices has been given The dynamics of world GaAs production and prices for the recent years have been reported. Methods of single crystal GaAs growth and tendencies of growth technology development have been described. The market of GaAs substrates, as expected, will amount to 3.6 million sq. inches and $650 million by 2017. Despite the high financial performance of the gallium arsenide market, the physical indicators of the world single− crystal GaAs market will remain rather small compared to worldwide figures, i.e. ~ 800 t/year by 2020. At the moment, the world market of GaAs single crystals and wafers exhibits a comparatively small volume, high concentration of production capacities in China and the presence of major players capable to endure adverse conditions. Russian market of special semiconductor materials (GaAs, etc.) has a volume that is small compared to worldwide figures. However, there is an understanding that the implementation of import substitution programs and the development of advanced electronic component base in Russia require the fabrication facilities for high purity compounds and initial components. Since 2015 GaAs plate production projects have emerged under the auspices of Roselektronika.
Highlights
16 Military GaAs device market to grow at CAGR of 13% to конъюнктуру
RF power semiconductor market growing at 9.8% CAGR from $1.5bn in 2016 to $2.5bn in 2022
Gallium demand to grow at 6% annually to 420t in 2020
Summary
В начале 60−х годов ХХ в. появились первые оптоэлектронные приборы на основе GaAs — светодиоды (СД) со световой отдачей 1—2 Лм/Вт для использования, например, в дисплеях кварцевых часов. В середине 60−х годов под эгидой US Department of defense (DoD) начались исследования свойств GaAs для работы в интегральных схемах (ИС), которые завершились созданием ИС высокого быстродействия, используемых в «интеллектуальных» системах управления огнем и в суперкомпьютерах. В начале 90−х годов DoD финансировал программу разработки ИС типа MIMIC (Microwave/Millimeter Wave Monolitic Integrated Circuits), и в последующем — MAFET− схем (Microwave Analog front End Technology). Первой массовой гражданской сферой применения стало появление и широчайшее распространение мобильной телефонии, где и в базовых станциях, и в мобильных телефонах используются ИС на основе GaAs. Это дало мощной толчок развитию отрасли. Предельные характеристики СВЧ ИС (выходная мощность Рвых (в Вт) и рабочая частота f (в ГГц)) для различных материалов приведены на рис. 1. Динамика развития рынка приборов на GaAs 1990—2016 гг. 2. Предельные характеристики СВЧ ИС (выходная мощность Рвых и рабочая частота f) для различных материалов. Это обеспечило их распростра- освещения нового поколения, где они заменяют транение во все сектора применения — от мобильных диционные лампы накаливания и люминесцентные телефонов и базовых станций до радаров, систем лампы [2, 8, 9]
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
