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Abstract
Las técnicas de nanoposicionamiento que actualmente se utilizan para caracterizar las propiedades físicas de materialesinteresantes para aplicaciones se basan en circuitos electrónicos de alta tensión que deben tener el nivel de ruido más bajoposible. En este trabajo se presenta una fuente de alimentación construida de forma simple y flexible, que puede proveer+375V con un nivel de ruido menor a 10 ppm. La flexibilidad del circuito se debe a su topología basada en componentesMOSFET discretos que pueden ser fácilmente reemplazados para cambiar la polaridad, la tensión y la corriente de salida.
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