Abstract
Through three−layered structure has been formed on silicon wafers 500 microns thick by electrochemical etching in a solution of hydrofluoric acid without using additional deletions monocrystalline layers. The resulting structures are divided into two types. The first type pass−through structure comprises two outermost macroporous silicon layers 220—247,5 microns thick with a pore diameter 7—10 microns and an average mesoporous silica layer 5—60 microns thick with a pore diameter of 100—150 nm. The second type pass−through structure includes macroporous silicon layer 250 microns in thickness, interlocking in the depth of the silicon wafer to form a cavity the size of 4—8 microns. The developed technology will allow forming monolithic structures of membrane−electrode assembly microfuel elements in an easier and more reliable manner.
Highlights
Кремниевые технологии по− прежнему занимают лидирующее место в микро− и наноэлектронике
Интерес исследователей прежде всего связан с возможностью изготовления на пористом кремнии фотолюминесцентных приборов в видимой области спектра, а также газовых, жидкостных сверхчувствительных сенсоров
Однако формирование толстых слоев пористого кремния сопряжено с большими технологическими трудностями [4]
Summary
Толщину слоев структур измеряли на микроинтерферометре МИИ−4 с видеокамерой KPC−S190SB1. Морфологию и размеры пор исследовали с помощью растрового электронного микроскопа Hitachi TM−1000, просвечивающего электронного микроскопа высокого разрешения JEOL JEM−2100
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
