Fabrication of arrays of one-dimensional porous silicon photonic crystal

Abstract

PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒 应用于中红外波段的阵列化多孔硅一维光子晶体的制备 DOI: 作者: 作者单位: 齐齐哈尔大学通信与电子工程学院,齐齐哈尔;齐齐哈尔大学通信与电子工程学院,齐齐哈尔,齐齐哈尔大学通信与电子工程学院,齐齐哈尔;齐齐哈尔大学通信与电子工程学院,齐齐哈尔,中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 作者简介: 通讯作者: 中图分类号: 基金项目: Fabrication of array of one-dimensional porous silicon photonic crystal Author: Affiliation: Qiqihar University,Qiqihar University,Shanghai Institute of Technical Physics Fund Project: 摘要 | 图/表 | 访问统计 | 参考文献 | 相似文献 | 引证文献 | 资源附件 | 文章评论 摘要:首先通过光刻工艺制作了阵列化岛状硅衬底，然后利用交替变换阳极腐蚀电流, 通过合理的控制制备参数，适当的热氧化条件，成功地制备了禁带中心位于5μm、6μm、7μm、10μm的阵列化多孔氧化硅一维光子晶体. 随后在其表面淀积一层低应力的Si3N4，通过原子力显微镜(AFM)和傅里叶红外反射谱(FTIR)测试证明, 沉积Si3N4后该结构仍然具有良好的平整度和较高的反射特性。该阵列结构不但具有较好的隔热和高反射特性，而且岛状的阵列结构可使其与其他器件互联变得简单易行，必将为制备多功能、一体化器件提供有利条件。 Abstract:With the aid of photolithography, arrays of one-dimensional porous silicon photonic crystal with the middle infrared mid-gap (λ=5、6、7、10 μm) were fabricated successfully by the combination of microelectronic technique and the electrochemical etching method. For practical use, the roughness of the surface was improved by deposited a Si3N4 thin film with 5000 ?. Then their optical and roughness properties were characterized by FTIR and AFM, respectively. As a result of the synergetic effects rendered by heat isolation and high reflection properties, the array of the one-dimensional porous silicon photonic crystal exhibit feasibility as the substrate for pyroelectric infrared sensor. 参考文献 相似文献 引证文献