Abstract

고온급속 열처리된 VF₂-TrFE/Si 구조를 이용하여 금속-강유전체-반도체(MFS) 커패시터를 제작하였으며, MFS 커패시터의 비휘발성 메모리 동작을 확인하였다. MFS 커패시터의 C-V 특성에서는 VF₂-TrFE의 강유전성에 기인하는 히스테리시스 곡선이 확인되었다. C-V 곡선의 축적영역의 커패시턴스 값으로부터 계산한 VF₂-TrFE 박막의 비유전상수 값은 약 9.5였다. 실온에서 확인한 박막의 누설전류밀도는 인가 전계 1MV/㎝에서 10<SUP>-7</SUP>A/㎠ 였다. 전형적인 잔류 분극값과 항전계 값은 각각 5.7μC/㎠와 470KV/㎝로 측정되었다. 강유전체 커패시터는 500KHz의 바이폴러 펄스를 인가하여 측정하였을 때 10<SUP>10</SUP> 사이클에서 초기 분극 값의 30%가 분극 열화함을 보였다.

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