Abstract

In this study, we have fabricated resistive switching memory device based on TiO2 thin films on ITO/PET commercial substrate. The study on the transmittance spectra showed that with the 100 nm-TiO2/ITO/PET device, the transmission is more than 80 % in the visible region and approximately of 85 % at wavelength of 550 nm. Ag/TiO2/ITO devices exhibit excellent stable bipolar resistive switching characteristics under electrical field bias of -2 V -> 2 V range on the flat state and even after reproductive physical stresses of 500 cycles. Our study on TiO2 based memristors suggests that resistive switching memories are suitable for flexible transparent application in the future.

Highlights

  • We have fabricated resistive stable bipolar resistive switching characteristics switching memory device based on TiO2 thin under electrical field bias of -2 V 2 V range films on ITO/properties of memristors on flexible substrate (PET) commercial substrate

  • Our study on with the 100 nm-TiO2/ITO/PET device, the TiO2 based memristors suggests that resistive transmission is more than 80 % in the visible switching memories are suitable for flexible region and approximately of 85 % at wavelength transparent application in the future. of 550 nm

  • Fabricating and investigating properties of memristors on flexible substrate (PET)

Read more

Summary

TÓM TẮT

Chúng tôi đã chế tạo thuận nghịch theo dạng lưỡng cực dưới sự phân thành công linh kiện trở nhớ dựa trên nền vật cực của điện trường trong khoảng từ -2 V đến +2 liệu oxide kim loại chuyển tiếp TiO2 trên đế V ở trạng thái ban đầu (phẳng) và sau khi bị tác thương phẩm ITO/PET. Các kết mỏng TiO2 là 100 nm, kết quả khảo sát độ truyền quả từ nghiên cứu này đã mở ra một tiềm năng qua cho thấy linh kiện có độ truyền qua trung ứng dụng mới cho bộ nhớ đảo điện trở có tính bình lớn hơn 80 % trong vùng ánh sáng khả kiến, chất đàn hồi và trong suốt (TFRRAM) trên các đạt 85 % ở bước sóng 550 nm. Ag/TiO2/ITO thể hiện tính chất đảo điện trở Từ khóa: bộ nhớ, đảo điện trở, đế PET, đàn hồi, màng mỏng TiO2, trong suốt

MỞ ĐẦU
VẬT LIỆU VÀ PHƯƠNG PHÁP
KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN Kết quả độ truyền qua
Hình thái học trên bề mặt
Findings
Đặc trưng đảo điện trở
Full Text
Paper version not known

Talk to us

Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have

Schedule a call

Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.