Abstract
Existe um mercado promissor de deposição de filmes finos metálicos para aplicações de alta tecnologia no Brasil. Esse mercado não tem sido explorado pelos microempreendedores por falta de um estudo de viabilidade básico da construção de equipamentos que possam evaporar metais com qualidade e controle. Neste trabalho, foi feito um estudo de viabilidade da construção de uma evaporadora de metais que foi construída para uma primeira avaliação prática. Os resultados sugerem que com investimentos da ordem de R$ 4.000,00 a R$ 15.000,00, é possível fabricar evaporadoras de filmes finos com qualidade industrial. Uma atenção especial deve ser dada ao circuito de vácuo para controle da qualidade do filme depositado. O mercado pode ser facilmente explorado no desenvolvimento e fabricação de placas de energia solar, deposição de camadas metálicas em vidros instalados em automóveis, antenas de satélites e até na fabricação de joias e bijuterias.
Highlights
A espessura do filme depositado é inversamente proporcional à distância entre o filamento e a amostra
Fabricar o suporte do filamento para temperaturas de até 2500 °C;
Foi depositado um filme fino sobre uma lâmina de silício proveniente de refugo de processos de microeletrônica conforme Figura 6, a qual mostra uma lâmina que receberá a deposição de filme fino: Figura 6
Summary
Esquema de funcionamento básico de uma evaporadora térmica: Fonte: Elaborado pelos Autores. A espessura do filme depositado é inversamente proporcional à distância entre o filamento e a amostra. Quanto mais distante a amostra do filamento, menor será o gradiente de espessura observado na amostra, uma vez que a parábola da frente do vapor de metal tende a ficar plano com a distância (HEAVENS,1952; SAYER; SREENIVAS, 1990). O metal tende a ser depositado com baixa rugosidade em alto vácuo (da ordem de 1x10-10 m), ou seja, para pressões da ordem de 1x10-6 mmHg, já em pressões maiores, a literatura reporta a provável oxidação do vapor e formação de óxidos no processo de deposição (SAYER, M.; SREENIVAS, K., 1990)
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