Abstract
The article presents the research results of semiconductor silicon carbide (porous) structures with the implanted carbon-14. The results of experimental measurements collected data on parameters of photovoltaic energy conversion of light quanta into a photo-EMF to confirm the efficiency of p-n junction, an evaluation of the effectiveness of the introduction of carbon-14 in the molecule silicon carbide electrophysical measurements. In the process used the technology of solid-phase transformation of the surface of the monocrystalline silicon substrate in the phase of monocrystalline silicon carbide by chemical transport of carbon in the environment of hydrogen.
Highlights
Создать бета-преобразователь, который сохраняет свои фукциональные характеристики в диапазоне от нескольких лет до нескольких десятков лет и может конкурировать по времени эксплуатации с другими типами источников питания
Никелевый контакт на структуре n-SiC/p-SiC не ухудшил параметров структуры, наблюдается некоторое увеличение темнового тока короткого замыкания
Обратное включение дает Iêç = = 317.7 нА, Uõõ = 32.9 мВ; 2) Темновая характеристика свидетельствует об эффективности разделения неравновесных носителей, генерируемых бета-излучением
Summary
Для создания изотопного преобразователя используются гомо- и гетероструктуры SiC. Оригинальная идея решения вопросов развития технологии создания полупроводниковой структуры преобразователя энергии на основе SiC посредством формирования гетероструктур с C-14 в качестве топлива впервые была представлена в работе [21]. 1. Слева: схематическое представление химического транспорта (оранжевым обозначены опытные подложки кремния); справа: реактор CVD-эндотаксии семейства гетероструктур SiC/Si. СДО-125, затем на нерабочую сторону пластин наносился слой фоторезиста ФП-383 для формирования защитного окисла. Опытные образцы структур бета-преобразователя представляют собой пластины карбида кремния на подложке кремния por-SiC/Si. Полученный мезо- и нанопористый слой n-типа проводимости бета-активен, большая площадь поверхности обес печивает большую плотность потока излучения для преобразования неравновесных носителей в области объемного пространственного заряда гомо p-nперехода в фазе карбида кремния гетероструктуры SiC/Si в электроэнергию (ЭДС радиохимического превращения углерода-14 в азот, связанный валентной связью с атомом кремния). Кроме того были зафиксированы параметры образца с планарной структурой и вертикальной структурой
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callDisclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
