Abstract

The compounds R2PdSi3, with R = rare earth, exhibit a very interesting magnetic behavior with two phase transitions. Substituting one in four Si atoms by Pd in HoSi2 results in a modulation of the aristotype. There are several different variants discussed in literature about the nature of the modulation of this rare-earth compound. Two of the latest models were compared: a 2 × 2 × 1 layer and a 2 × 2 × 8 stack. The chosen method is Diffraction Anomalous Fine Structure (DAFS) and was applied both experimentally and by simulation at different absorption edges and reflections, i. a. a satellite reflection, aiming on finding the correct crystal structure.

Highlights

  • Rare earth disilicides RSi2 and their related R2T Si3 compounds crystallize in hexagonal AlB2- as well as in tetragonal ThSi2-like crystal structures, which possess a large structural variety, especially concerning the ordering of the T and Si atoms

  • Aus den angegebenen Gründen bedarf die Evaluierung der Radien weiterer Überlegungen, diese sind detailliert in Abschnitt 3.2.4 zu finden

  • Um den zugehörigen Strukturtyp mit Raumgruppe und Wyckoff-Lagen zu definieren, wurde im Rahmen dieser Arbeit eine Liste der Atomkoordinaten in Raumgruppe P 1 (1) erstellt und anschließend in die Software FINDSYM [198] importiert

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Summary

Zusammenfassung

Die Lanthanoide bzw. die Metalle der Seltenen Erden sind eine Elementgruppe, die die Wissenschaft lange Zeit beschäftigt hat. Durch dieses neue Element in der Verbindung ergeben sich neue Freiheitsgrade, sowohl strukturell als auch für die Entfaltung physikalischer Eigenschaften. Die typischen Strukturtypen der Lanthanoid-Silizide treten außerdem in Verbindungen mit Yttrium und Scandium auf, somit sind sie bei allen Seltenerd-Siliziden zu finden. Daher müssen für eine systematische Untersuchung der RSi2- und R2T Si3Verbindungen die R-Elemente der Sc-Gruppe, die Lanthanoide, die Aktinoide und die Erdalkalimetalle zusammengefasst werden. Dadurch soll der Einfluss sterischer sowie elektronischer Parameter des R- und des T Elements – und somit die Triebkräfte für die Einstellung bestimmter Strukturen – identifiziert werden. Aus den insgesamt 42 Rechnungen ergibt sich eine Liste von Verbindungen, die mit hoher Wahrscheinlichkeit stabil und damit synthetisierbar sind. Zusätzlich wurde für Ho2PdSi3 eine der größten Elementarzellen berichtet, überdies weist die Ordnung entlang der kristallographischen c-Richtung die größte Periodizität innerhalb der R2T Si3-Verbindungen auf.

Aufbau
12 Mg s-Block d-Block p-Block f -Block
Bindungen
Atomradien
Gliederung von Kristallstrukturen
Symmetrieabstieg
Raumgitter und reziprokes Gitter
Elektronen im Kristall
Resonante Röntgenbeugung
Röntgenabsorptionsspektroskopie
Röntgendiffraktion
Grundlagen d δδ θ θ
Analyse der Diffraction Anomalous Fine Structure
Strukturelle Variationen der RSi2- und R2T Si3-Verbindungen
Kristallographische Übersicht der RSi2- und R2T Si3-Verbindungen
Vom AlB2-Typ abgeleitete Strukturen
Vom ThSi2-Typ abgeleitete Strukturen
Strukturbeschreibung
Systematisierung von Materialeigenschaften anhand von R–T -Diagrammen
Verteilung der Strukturtypen gemäß der Elementkombinationen
Gitterparameter und Si–T -Abstände
Thermische Behandlung
Elementradien und Radienverhältnis
Dichte und Packungsdichte
Elektronische Struktur
Abhängigkeiten zwischen den Materialeigenschaften
Korrelationen des kürzesten Si–T -Abstands d
HL 4d Eu
HL Si U
Korrelationen der thermischen Behandlung
Korrelationen der elektronischen Struktur
Stabilitätsanalysen basierend auf DFT-Rechnungen
Die Reihe der Co-Verbindungen
Die Reihe der Rh-Verbindungen
Die Reihe der Pt-Verbindungen
Die Gitterparameter von La2PdSi3
Tetragonales oder hexagonales BaSi2?
Orthorombisches Sr2AgSi3
Die Probe
Die Modelle
Durchführung
Details zu den Simulationen
Details zu den Experimenten
Auswertung
Die Holmium-L-Kanten
FDM Green
Die Palladium-K-Kante
Strukturparameter der RSi2- und R2T Si3-Verbindungen
ThSi2 4 ThSi2-defect 4 ThSi2
Nd Si2-x 4 GdSi2 4 GdSi2
ThSi2 4 GdSi2 8 Ca2AgSi3 1 AlB2 4 ThSi2 4 ThSi2 4 ThSi2 4 ThSi2 1h 8h
Die Strukturtypen und Wyckoff-Lagen der RSi2- und R2T Si3-Verbindungen
Geometrische Betrachtungen der Gitter
Hilfswerte für die DFT-Rechnungen
Parameter der FDMNES-Simulation
Herleitung des Extinktionskorrekturterms
Mittlere Fehlerquadrate der Fits an die XAFS- und DAFS-Experimente
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