Electron diffraction in crystalline specimens containing a high density of lattice defects. II. Numerical evaluation for the case of narrow dislocation dipoles–comparison with experimetnal data

Abstract

The equation established in a preceding paper for the description of the diffraction of fast electrons in crystals containing a high density of lattice defects is worked out for the case of narrow dislocation dipoles. The diffraction pattern of a systematic 10-beam case is calculated as a function of the density of the dislocation dipoles, the width of the dipoles, the acceleration voltage, and the direction of incidence of the electrons. The results are applied to the diffraction patterns observed on a cyclically deformed copper crystal containing dense arrays of dislocation dipoles. The analysis yields ϱ = 3.4 × 1011/cm2 (ϱ = dislocation density) which compares well with other, indirect, estimates. Die in einer vorangegangenen Arbeit aufgestellte Gleichung zur Beschreibung der Beugung schneller Elektronen in Kristallen mit hoher Dichte an Gitterfehlern wird auf den Spezialfall enger Versetzungsdipole angewandt. Es wird das Beugungsdiagramm fur einen systematischen 10-Strahlfall als Funktion der Dichte der Versetzungsdipole, der Dipolweite, der Beschleunigungsspannung der Elektronen und deren Einstrahlrichtung berechnet. Die Resultate werden auf Beugungsdiagramme eines wechselverformten Kupfereinkristalls mit hoher Versetzungsdichte ϱ angewandt. Es ergibt sich ein Wert ϱ = 3,4 × 1011/cm2, der mit anderen, mehr indirekten Abschatzungen gut ubereinstimmt.