Abstract
パワーモジュールのはんだ接合部エレクトロマイグレーション(EM)が信頼性問題と認識されている。本論文では，高温はんだSn-3.0Cuを用いたCu/Ni-P/Sn-3.0Cu/Ni-P/Cu接合部のEM基本現象(175°C, 50 A/mm2)を明らかにする。リフロー後の電極界面には，厚くかつCuリッチな(Cu,Ni)6Sn5層と薄いPリッチ層が形成された。この構造的特徴が，カソード側でのEM起因の断線原因である(Cu,Ni)6Sn5層消失とPリッチ層成長を抑制することを明らかにした。
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Schedule a callMore From: Journal of The Japan Institute of Electronics Packaging
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