Abstract
In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P /Ge structures for the first tandem of three−tandem A3B5/Ge solar cells were synthesized using MOS hydride epitaxy. The p—n–junction was formed by boron diffusion into gallium doped germanium. Phosphorus and gallium profiles in germanium were measured using SIMS. We show that changes in the phosphine flow do not affect the phosphorus distribution and the p—n–junction depth in the germanium stage.
Highlights
ФОСФОРА В ГЕРМАНИИМетодом МОС−гидридной эпитаксии изготовлены структуры In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P /Ge, представляющие собой первый каскад трехкаскадных солнечных элементов AIIIBV/Ge.
В рассматриваемом случае толщина слоя, определенная по профилю галлия в структуре, для образцов 1—3 составляет 16 ± 2, 18 ± 2 и 14 ± 2 нм, а глубина p—n−перехода в германии 120, 135 и 120 нм соответственно.
Профили распределения фосфора в образцах 1—3 (1—3) и галлия (4) в германии перехода формируется в процессе выращивания всех каскадов, так что общее время диффузии заметно больше, чем время выращивания буферного слоя.
Summary
Методом МОС−гидридной эпитаксии изготовлены структуры In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P /Ge, представляющие собой первый каскад трехкаскадных солнечных элементов AIIIBV/Ge. В рассматриваемом случае толщина слоя, определенная по профилю галлия в структуре, для образцов 1—3 составляет 16 ± 2, 18 ± 2 и 14 ± 2 нм, а глубина p—n−перехода в германии 120, 135 и 120 нм соответственно. Профили распределения фосфора в образцах 1—3 (1—3) и галлия (4) в германии перехода формируется в процессе выращивания всех каскадов, так что общее время диффузии заметно больше, чем время выращивания буферного слоя. Если в процессе формирования диффузионного слоя сложились условия, соответствующие «застыванию» профиля фосфора (что могло иметь место, так как в области формирования перехода практически отсутствует градиент концентрации фосфора), это могло привести к наблюдаемой в работе [1] стабилизации глубины p—n−перехода. Изучение профилей распределения фосфора в германии легированном галлием при формировании гетероструктуры In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge(Ga) показало, что на границе германия концентрация галлия превышает концентрацию фосфора, что приводит к формированию дополнительного p—n− перехода на глубине порядка 20 нм. Форма диффузионного профиля указывает на то, что диффузия фосфора из слоя In0,56Ga0,44P в присутствии галлия в матрице является координатно зависимой
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
