Abstract
利用固源分子柬外延（SSMBE）生长技术,在不同的硅碳蒸发速率比（Si/C）条件下,在Si（111）衬底上生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）等实验技术,对生长的样品形貌和结构进行了研究.结果表明,在Si/C比（1.1：1.0）下生长的薄膜样品,XRDω扫描得到半高宽为2.1°;RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环,有孪晶斑点.在Si/C比（2.3：1.0）下生长的薄膜,XRDω扫描得到的半高宽为1.5°,RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点.AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑,表面比较粗糙.从红外光谱得出薄膜存在着比较大的应力.但在Si/C比（1.5：1.0）下生长的薄膜样品,XRDω扫描得到的半高宽仅为1.1°;RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹,并可看到SiC的3×3表面重构,无孪晶斑点;AFM图像表明,没有明显的空洞,表面比较平整.FTIR谱的位置显示,在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小.因此可以认为,存在着一个优化的Si/C比（1.5：1.0）,在这个Si/C比下,生长的薄膜质量较好.
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