Abstract
Películas delgadas de nitruro de molibdeno fueron depositadas sobre obleas de silicio (111) mediante la técnica de la pulverización catódica magnética reactiva DC, a la temperatura de sustrato de 100, 200, 300 y 400 °C, en la mezcla de gases (Ar+N2 ) a la presión de trabajo de 4,3x-3 torr. La composición de las películas ha sido definida con espectroscopia Auger (AES). La difracción de rayos X muestra que tales películas presentan una orientación cristalográfica preferencial a lo largo del plano (112) y el tamaño de grano se incrementa desde 8,21 a 13,16 nm en el rango de 100 a 400 °C de la temperatura de sustrato. La resistividad de las películas disminuye con el aumento de la temperatura de sustrato desde 74,20 a 2,45 μΩ.cm mostrando características óhmicas. El valor más bajo de la resistividad eléctrica fue de 2,45 μΩ.cm a la temperatura de sustrato de 400 °C.
Highlights
Efecto de la temperatura de sustrato sobre la estructura y resistividad eléctrica de películas delgadas de... 407 temperature
Las películas delgadas de nitruro de molibdeno muestran alta conductividad eléctrica y estabilidad química y son candidatos prometedores para uso como barreras de difusión de Cu y electrodos en microelectrónica[2]
Objeto de estudio Las películas delgadas de nitruro de molibdeno obtenidas mediante pulverización catódica magnética reactiva DC sobre sustratos de silicio (111) y su variación de la estructura y resistividad eléctrica como respuesta a la temperatura de sustrato
Summary
José Noé Valdivia Rodasa*, Arturo Fernando Talledo Coronadob, Segundo Jáuregui Rosasa, Pedro De La Cruz Rodrígueza, Manuel Enrique Guevara Veraa. Películas delgadas de nitruro de molibdeno fueron depositadas sobre obleas de silicio (111) mediante la técnica de la pulverización catódica magnética reactiva DC, a la temperatura de sustrato de 100, 200, 300 y 400 °C, en la mezcla de gases (Ar+N2) a la presión de trabajo de 4,3x-3 torr. La difracción de rayos X muestra que tales películas presentan una orientación cristalográfica preferencial a lo largo del plano (112) y el tamaño de grano se incrementa desde 8,21 a 13,16 nm en el rango de 100 a 400 °C de la temperatura de sustrato. La resistividad de las películas disminuye con el aumento de la temperatura de sustrato desde 74,20 a 2,45 μΩ.cm mostrando características óhmicas. Palabras clave: películas delgadas, nitruro de molibdeno, Difracción de Rayos X, resistividad eléctrica, temperatura de sustrato
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